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Artigo de periodico
Maleic anhydride adsorption on silicon (001) (2005)
Miotto, P; Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Source: Journal of Chemical Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICO-QUÍMICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
MIOTTO, P e FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Maleic anhydride adsorption on silicon (001). Journal of Chemical Physics, v. 123, n. 7, p. 074708/1-074708/9, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2006676. Acesso em: 03 maio 2024.
APA
Miotto, P., Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (2005). Maleic anhydride adsorption on silicon (001). Journal of Chemical Physics, 123( 7), 074708/1-074708/9. doi:10.1063/1.2006676
NLM
Miotto P, Ferraz AC, Srivastava GP. Maleic anhydride adsorption on silicon (001) [Internet]. Journal of Chemical Physics. 2005 ; 123( 7): 074708/1-074708/9.[citado 2024 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2006676
Vancouver
Miotto P, Ferraz AC, Srivastava GP. Maleic anhydride adsorption on silicon (001) [Internet]. Journal of Chemical Physics. 2005 ; 123( 7): 074708/1-074708/9.[citado 2024 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2006676
Artigo de periodico
Passivation of InP(001) by sulfur (1999)
Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Source: Applied Surface Science. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Passivation of InP(001) by sulfur. Applied Surface Science, v. 142, n. 1-4, p. 23-27, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0169-4332(98)00732-6. Acesso em: 03 maio 2024.
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1999). Passivation of InP(001) by sulfur. Applied Surface Science, 142( 1-4), 23-27. doi:10.1016/s0169-4332(98)00732-6
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Passivation of InP(001) by sulfur [Internet]. Applied Surface Science. 1999 ; 142( 1-4): 23-27.[citado 2024 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0169-4332(98)00732-6
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Passivation of InP(001) by sulfur [Internet]. Applied Surface Science. 1999 ; 142( 1-4): 23-27.[citado 2024 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0169-4332(98)00732-6
Artigo de periodico
The role of generalised gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'beta'-GaN and GaAs (1999)
Miotto, R.; Srivastava, G. P.; Ferraz, A. C.
Source: Surface Science. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G. P. e FERRAZ, A. C. The role of generalised gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'beta'-GaN and GaAs. Surface Science, v. 435, p. 377-381, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00109-0. Acesso em: 03 maio 2024.
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (1999). The role of generalised gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'beta'-GaN and GaAs. Surface Science, 435, 377-381. doi:10.1016/s0039-6028(99)00109-0
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. The role of generalised gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'beta'-GaN and GaAs [Internet]. Surface Science. 1999 ; 435 377-381.[citado 2024 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00109-0
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. The role of generalised gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'beta'-GaN and GaAs [Internet]. Surface Science. 1999 ; 435 377-381.[citado 2024 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00109-0
Artigo de periodico
First-principles pseudopotential study of GaN and BN (110) surfaces (1999)
Miotto, R.; Srivastava, G. P.; Ferraz, A. C.
Source: Surface Science. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G. P. e FERRAZ, A. C. First-principles pseudopotential study of GaN and BN (110) surfaces. Surface Science, v. 426, n. 1, p. 75-82, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00282-4. Acesso em: 03 maio 2024.
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (1999). First-principles pseudopotential study of GaN and BN (110) surfaces. Surface Science, 426( 1), 75-82. doi:10.1016/s0039-6028(99)00282-4
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. First-principles pseudopotential study of GaN and BN (110) surfaces [Internet]. Surface Science. 1999 ; 426( 1): 75-82.[citado 2024 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00282-4
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. First-principles pseudopotential study of GaN and BN (110) surfaces [Internet]. Surface Science. 1999 ; 426( 1): 75-82.[citado 2024 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00282-4
Artigo de periodico
Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'BETA'-GaN and GaAs (1999)
Miotto, R.; Srivastava, G. P.; Ferraz, A. C.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G. P. e FERRAZ, A. C. Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'BETA'-GaN and GaAs. Physical Review B, v. 59, n. 4, p. 3008-3014, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.3008. Acesso em: 03 maio 2024.
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (1999). Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'BETA'-GaN and GaAs. Physical Review B, 59( 4), 3008-3014. doi:10.1103/physrevb.59.3008
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'BETA'-GaN and GaAs [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 4): 3008-3014.[citado 2024 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.3008
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'BETA'-GaN and GaAs [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 4): 3008-3014.[citado 2024 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.3008
Artigo de periodico
Theoretical calculations for Si(001)-(2x1)Cl (1998)
Casagrande, Douglas; Srivastava, G. P.; Ferraz, A. C.
Source: Surface Science. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CASAGRANDE, Douglas e SRIVASTAVA, G. P. e FERRAZ, A. C. Theoretical calculations for Si(001)-(2x1)Cl. Surface Science, v. 404, n. 1-3, p. 653-657, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(97)00929-1. Acesso em: 03 maio 2024.
APA
Casagrande, D., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (1998). Theoretical calculations for Si(001)-(2x1)Cl. Surface Science, 404( 1-3), 653-657. doi:10.1016/s0039-6028(97)00929-1
NLM
Casagrande D, Srivastava GP, Ferraz AC. Theoretical calculations for Si(001)-(2x1)Cl [Internet]. Surface Science. 1998 ; 404( 1-3): 653-657.[citado 2024 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(97)00929-1
Vancouver
Casagrande D, Srivastava GP, Ferraz AC. Theoretical calculations for Si(001)-(2x1)Cl [Internet]. Surface Science. 1998 ; 404( 1-3): 653-657.[citado 2024 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(97)00929-1
Artigo de periodico
Dissociative adsorption of 'NH IND.3' on Si(001)-(2x1) (1998)
Miotto, R.; Srivastava, G. P.; Ferraz, A. C.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G. P. e FERRAZ, A. C. Dissociative adsorption of 'NH IND.3' on Si(001)-(2x1). Physical Review B, v. 58, n. 12, p. 7944-7949, 1998Tradução . . Acesso em: 03 maio 2024.
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (1998). Dissociative adsorption of 'NH IND.3' on Si(001)-(2x1). Physical Review B, 58( 12), 7944-7949.
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Dissociative adsorption of 'NH IND.3' on Si(001)-(2x1). Physical Review B. 1998 ; 58( 12): 7944-7949.[citado 2024 maio 03 ]
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Dissociative adsorption of 'NH IND.3' on Si(001)-(2x1). Physical Review B. 1998 ; 58( 12): 7944-7949.[citado 2024 maio 03 ]
Artigo de periodico
Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001) (1997)
Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Source: Surface Science. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science, v. 377-379, p. 121-124, 1997Tradução . . Acesso em: 03 maio 2024.
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1997). Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science, 377-379, 121-124.
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science. 1997 ; 377-379 121-124.[citado 2024 maio 03 ]
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science. 1997 ; 377-379 121-124.[citado 2024 maio 03 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001) (1997)
Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Source: Surface Science. Conference titles: European Conference on Surface Science. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science. Amsterdam: Elsevier. . Acesso em: 03 maio 2024. , 1997
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1997). Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science. Amsterdam: Elsevier.
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science. 1997 ; 377-379 121-124.[citado 2024 maio 03 ]
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science. 1997 ; 377-379 121-124.[citado 2024 maio 03 ]
Artigo de periodico
Atomic relaxation and electronic states in ultrathin 'GE' / 'ZN''SE' superlattices (1993)
Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Atomic relaxation and electronic states in ultrathin 'GE' / 'ZN''SE' superlattices. Semiconductor Science and Technology, v. 8 , n. ja 1993, p. 67-72, 1993Tradução . . Acesso em: 03 maio 2024.
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1993). Atomic relaxation and electronic states in ultrathin 'GE' / 'ZN''SE' superlattices. Semiconductor Science and Technology, 8 ( ja 1993), 67-72.
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic relaxation and electronic states in ultrathin 'GE' / 'ZN''SE' superlattices. Semiconductor Science and Technology. 1993 ;8 ( ja 1993): 67-72.[citado 2024 maio 03 ]
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic relaxation and electronic states in ultrathin 'GE' / 'ZN''SE' superlattices. Semiconductor Science and Technology. 1993 ;8 ( ja 1993): 67-72.[citado 2024 maio 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices (1988)
Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices. 1988, Anais.. Sisngapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 03 maio 2024.
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1988). Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices. In Proceedings. Sisngapore: World Scientific.
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 maio 03 ]
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 maio 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods (1988)
Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 03 maio 2024.
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1988). Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 maio 03 ]
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 maio 03 ]
Artigo de periodico
Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices (1987)
Srivastava, G. P.; Ferraz, A. C.
Source: Surface Science. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SRIVASTAVA, G. P. e FERRAZ, A. C. Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices. Surface Science, v. 189-90, n. 1-3, p. 913-8, 1987Tradução . . Acesso em: 03 maio 2024.
APA
Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (1987). Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices. Surface Science, 189-90( 1-3), 913-8.
NLM
Srivastava GP, Ferraz AC. Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices. Surface Science. 1987 ;189-90( 1-3): 913-8.[citado 2024 maio 03 ]
Vancouver
Srivastava GP, Ferraz AC. Electronic band structure of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' and ' (GAAS) IND.N'' (ZNSE) IND.N' superlattices. Surface Science. 1987 ;189-90( 1-3): 913-8.[citado 2024 maio 03 ]
Artigo de periodico
Determination of the surface geometry of gaas(110) by the total energy and force methods (1987)
Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Source: Surface Science. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Determination of the surface geometry of gaas(110) by the total energy and force methods. Surface Science, v. 182, n. 1-2, p. 161-78, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0167-2584(87)90092-2. Acesso em: 03 maio 2024.
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1987). Determination of the surface geometry of gaas(110) by the total energy and force methods. Surface Science, 182( 1-2), 161-78. doi:10.1016/0167-2584(87)90092-2
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Determination of the surface geometry of gaas(110) by the total energy and force methods [Internet]. Surface Science. 1987 ;182( 1-2): 161-78.[citado 2024 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0167-2584(87)90092-2
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Determination of the surface geometry of gaas(110) by the total energy and force methods [Internet]. Surface Science. 1987 ;182( 1-2): 161-78.[citado 2024 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0167-2584(87)90092-2
Artigo de periodico
Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices (1986)
Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Source: Semiconductors Science Technology. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices. Semiconductors Science Technology, v. 1 , n. 3 , p. 169-71, 1986Tradução . . Acesso em: 03 maio 2024.
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1986). Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices. Semiconductors Science Technology, 1 ( 3 ), 169-71.
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices. Semiconductors Science Technology. 1986 ;1 ( 3 ): 169-71.[citado 2024 maio 03 ]
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices. Semiconductors Science Technology. 1986 ;1 ( 3 ): 169-71.[citado 2024 maio 03 ]
Artigo de periodico
Atomic geometry of the znse (110), surface: determination by total-energy methods (1986)
Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Source: Journal of Physics C. Unidade: IF
Assunto: GEOMETRIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Atomic geometry of the znse (110), surface: determination by total-energy methods. Journal of Physics C, v. 19, n. 30, p. 5987-94, 1986Tradução . . Acesso em: 03 maio 2024.
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1986). Atomic geometry of the znse (110), surface: determination by total-energy methods. Journal of Physics C, 19( 30), 5987-94.
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometry of the znse (110), surface: determination by total-energy methods. Journal of Physics C. 1986 ;19( 30): 5987-94.[citado 2024 maio 03 ]
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometry of the znse (110), surface: determination by total-energy methods. Journal of Physics C. 1986 ;19( 30): 5987-94.[citado 2024 maio 03 ]

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